名师名采

姓名	刘昶时	性别	男	出生年月	1958.8	职称	教授
所在部门	数理信息学院			学历/学位	研究生、理学硕士	联系电话	0575-8067065
主要研究方向	材料科学与原子物理学
已有主要研究成果（含科研课题、论文、著作、获奖等）：一、代表性论文 1.独立作者 (SCI检索) "Structure of Double Interfaces System of Si3N4/SiO2/Si Irradiated by γ－rays"， VACUUM, 2004，Vol 72 2.独立作者 (SCI检索) "Plasmons in Double Interfaces System of Si3N4/SiO2/Si irradiated by 60Co"， VACUUM, 2004，Vol.75 3.第一作者 (SCI检索)"Secondary x-rays emitted from foils upon transmission, Radiation Effects and Defects in Solids, 2005, 6 Vol.160(6) 4.独立作者 (SCI检索) "Measurement And Calculation of Yields for Photoelectric Emission from Foils on Transmissive Surface"， Radiation Effects & Defects in Solids, 2000, Vol.153: 5.第一作者 (SCI检索) "Interfacial Structure of SiO2－Si Grown on B－and P－doped Silicon and Influences of 60Co on Them"， Radiation Effects & Defects in Solids, 1997; Vol.143 6.独立作者 (SCI检索) "Influences of metal surfaces structure on the anisotropic XPS", Optica Applicata, 2005,Vol. 35(2) 7.第一作者 (SCI检索) "Radiation--Induced Defects in Radiation Hard and Soft Oxides," ACTA PHYSICA SINICA (Overseas Edition) 物理学报（海外版）,1994,3(6) 8.独立作者 "Measurement of Mean Excitation Energy by Energy Loss," Nucl. Sci. and Tech.， 1997; 8 (4) 9.独立作者 "RADIATION-INDUCED PLASMONS IN Si-SiO2 "Nucl. Sci. and Tech.， 1999; 10 (1) 10.第一作者" Si-SiO2及其电离辐照下的等离激元"，,1997;20(2) 11.第一作者" 能损法测平均电离激发能核技术", 核技术，1997;20(6) 12.独立作者 "X及低能γ光子在金属箔透射面光致电子发射产额"核技术1998;21(7) 13.第一作者"InP软X射线辐照的表面损伤态"，核技术, 1999;22(3) 14.第一作者"金属表面结构的变角XPS特征, "分析测试学报， 1997 ;16(4): 15.第一作者"电离辐照下Si-SiO2的光频电容率"固体电子学研究与进展, 1997;17(3) 16.第一作者; "XPS STUDIES OF IRRADIATED HARD AND SOFT Si／SiO2 ," Nuclear Scince and Techniqes,1993;4(3) 17.第一作者" 五种维药的质子激发Ｘ荧光(PIXE)分析，" 中草药， 1989 ；20(11) 18.第一作者"电离辐照Si-SiO2的电子能谱深度剖析，"核技术，1990 ；13(10) 19.第一作者"抗辐射加固与非加固Si-SiO2 电离辐照的ＸＰＳ深度剖析，"核技术，1992 ；15(9) 20.第一作者"新疆地区三种牧草的ＰＩＸＥ分析，" 核技术, 1991 ；14(3) 21.刘昶时"不同工艺生成Si-SiO2 电离辐照的电子自旋共振研究，" 核技术, 1994, 17(3) : 145 22.第一作者"低能γ及Ｘ射线在透射金属箔方向激发的次级Ｘ射线, "核技术, 1994;17(7):429， 23.第一作者"掺Ｂ, Ｐ硅衬底生长Si-SiO2 及其电离辐照的ＸＰＳ研究，"核技术, 1995;18(2) 24.第一作者"用ＸＰＳ研究 60Co对抗辐射加固与非加固Si-SiO2 的影响，" 固体电子学研究与进展,1993 ；18(3) 25.第一作者"不同偏置条件下Si-SiO2 界面电离辐照的ＸＰＳ研究，" 微电子学与计算机，1989 ；6(12) 二、基金项目 1.主持中国科学院青年奖励基金资助课题"电离辐射感生Si-SiO2 界面态研究。" 2. 参加国家自然科学基金"量热法测高吸收剂量的研究和应用" 3. 参加国家自然科学基金 "InP材料的同步X光吸收和电离辐射损伤 " 4. 参加国家国防基金"Si－SiO 2系统辐照感生缺陷的研究，" 5.参加新疆自治区自然科学基金 "铁电薄膜制备及其在压力传感器中的应用三、获奖情况：参加国家国防基金课题"FCa:：Mn剂量片的研制"获94年中科院科技进步三等奖。" 项目"材料和器件的X光吸收和表面电离损伤的研究" 获新疆维吾尔自治区人民政府科学技术进步三等奖